FW217-TL-E-VB - VBsemi MOS管制造商

FW217-TL-E-VB 产品详细

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产品简介：

FW217-TL-E-VB MOSFET 产品简介

FW217-TL-E-VB 是一款双N沟道MOSFET，采用SOP8封装，利用先进的Trench技术制造。这款MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），适合用于中等电压开关应用。开启电压（Vth）为1.7V，导通电阻（RDS(ON)）在VGS为4.5V时为20mΩ，在VGS为10V时为16mΩ，最大漏极电流（ID）为8.5A。FW217-TL-E-VB 提供了低导通电阻和高电流处理能力，设计用于提高开关效率和减少功耗的电路中。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A			16mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-N+N

详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **沟道配置**: 双N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 8.5A
- **技术类型**: Trench技术

领域和模块应用：

应用领域及模块示例

FW217-TL-E-VB 的低导通电阻和中等电压能力使其适用于各种中低电压开关应用。在DC-DC转换器中，这款MOSFET 能够作为高效开关元件，提高转换效率并减少功耗。在电源管理系统中，它可以用于负载开关，提供稳定的电流控制，确保电源系统的高效运行。在计算机和通信设备的电源模块中，FW217-TL-E-VB 能够处理和切换电流，保证设备的稳定性和性能。在LED驱动电路中，它可以作为高效的开关元件，支持高亮度LED的稳定驱动和低能耗。在各种消费电子设备中，FW217-TL-E-VB 适用于电流开关和功率管理，提供高效和可靠的电流控制解决方案。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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