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FW216A-VB 产品详细

产品简介:

一、FW216A-VB产品简介
FW216A-VB是一款双N沟道MOSFET,封装为SOP8,专为低电压、高效能应用设计。该器件的漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)为±20V,具有低阈值电压(Vth)1.7V,这使得它能够在较低的栅极电压下有效开关。FW216A-VB采用Trench技术,具有出色的导通电阻性能,在VGS为4.5V时为20mΩ,在VGS为10V时为16mΩ。其最大漏极电流(ID)为8.5A,适用于需要高效电流控制和开关性能的电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、FW216A-VB详细参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 8.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块举例
FW216A-VB MOSFET因其低导通电阻和良好的开关性能,在多个应用领域中表现出色。以下是一些典型的应用场景:

1. **DC-DC转换器**:
- 在DC-DC转换器中,FW216A-VB可以作为高效的开关元件使用。其低RDS(ON)值降低了转换过程中的功率损耗,提升了整体能效,使其非常适合高效电源设计。

2. **电机驱动**:
- FW216A-VB适用于电机驱动电路,尤其是在需要处理中等电流的应用中。其8.5A的漏极电流能力和低导通电阻使其在驱动电动机和执行器时表现稳定。

3. **LED照明**:
- 在LED驱动电路中,FW216A-VB能够提供稳定的电流控制,确保LED的亮度均匀且长时间可靠运行。其低导通电阻有助于提高电源的效率,减少热量产生。

4. **电池管理系统**:
- 该MOSFET在电池管理系统中用于控制充电和放电过程。由于其低阈值电压和低RDS(ON)特性,FW216A-VB能够在较低的控制电压下提供稳定的性能,确保电池的安全和有效管理。

5. **开关电源**:
- 在开关电源设计中,FW216A-VB作为开关元件能够提高电源的转换效率,减少功率损耗,其优良的开关特性使其适合用于各种高效能的电源模块。

FW216A-VB通过其低导通电阻、高电流处理能力和高效的开关特性,在DC-DC转换、电机驱动、LED照明、电池管理及开关电源等应用中提供了优异的性能,确保了各类电子设备的高效运作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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