FTP02N60C-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

FTP02N60C-VB MOSFET 产品简介

FTP02N60C-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，封装为TO220，具备650V的漏源电压（VDS）和30V的栅源电压（VGS）。这款器件采用平面技术设计，能够在严苛的环境下提供可靠的性能。其开启电压（Vth）为3.5V，RDS(ON)在VGS为4.5V时为3900mΩ，在VGS为10V时为3120mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A			3120mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术类型**: 平面型技术（Plannar）

领域和模块应用：

应用领域及模块示例

FTP02N60C-VB 适用于高压开关电源、照明设备、以及电动机驱动器等领域。在开关电源模块中，这款MOSFET可以作为主开关器件，由于其高耐压特性，能够有效处理高电压输入的转换工作。在照明设备中，FTP02N60C-VB可用于驱动高压LED阵列，确保稳定的电流控制和功率转换。而在电动机驱动器应用中，这款MOSFET可以作为电机控制模块的核心组件，提供可靠的电流控制和高效能的电源管理。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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