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FSS232-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

FSS232-TL-E-VB 产品简介

FSS232-TL-E-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。该 MOSFET 采用 Trench 技术,专为低电压应用设计,具有高开关速度和低导通电阻的特点。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 30V,门极源极电压 (VGS) 的范围为 ±20V。门极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保在较低的门极驱动电压下也能稳定开关。FSS232-TL-E-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 4.5V 时为 11mΩ,在 VGS 为 10V 时为 8mΩ,能够处理最大 13A 的漏极电流。该 MOSFET 的低导通电阻和高电流能力使其适用于多种低电压、高效率的电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**: FSS232-TL-E-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏极源极电压 (VDS)**: 30V
- **门极源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **漏极-源极导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

FSS232-TL-E-VB MOSFET 的低导通电阻和高电流处理能力使其在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. **电源管理系统**: 在电源管理系统中,如 DC-DC 转换器和电源开关,FSS232-TL-E-VB 提供高效的开关性能和低功耗特性。其低导通电阻能够减少功耗,提升电源转换效率,适用于各种电源管理电路。

2. **电池保护电路**: 在电池保护电路中,FSS232-TL-E-VB 可以作为开关元件,提供可靠的电流控制和保护功能。其高开关速度和低导通电阻帮助保护电池免受过流和过压影响,延长电池使用寿命。

3. **电机驱动**: 在电机驱动应用中,例如步进电机或无刷电机控制,FSS232-TL-E-VB 的高电流能力和低导通电阻能够有效提高电机的运行效率和性能。适用于电机控制电路中的开关和驱动功能。

4. **消费电子产品**: 在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,FSS232-TL-E-VB 可用于电源管理和开关控制应用。其紧凑的 SOP8 封装适合空间受限的设计,同时其高性能特性帮助提升设备的电池寿命和整体性能。

5. **负载开关**: 在负载开关应用中,FSS232-TL-E-VB 提供可靠的开关控制,能够处理较高的电流负荷。其低导通电阻有助于减少功耗,适用于各种需要高开关速度和低功耗的负载开关场景。

FSS232-TL-E-VB MOSFET 由于其高效能和稳定性,在多种电子应用中表现出色,为低电压、高效能的系统提供了优质的开关解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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