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FSS139-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

FSS139-TL-E-VB 产品简介

FSS139-TL-E-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,封装形式为 SOP8。这款 MOSFET 采用 Trench 技术,旨在提供低导通电阻和高电流处理能力。它的最大漏极源极电压 (VDS) 为 -20V,门极源极电压 (VGS) 的范围为 ±20V。其门极阈值电压 (Vth) 为 -0.6V,能够在较低的门极驱动电压下开启。FSS139-TL-E-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 2.5V 时为 21mΩ,在 VGS 为 4.5V 时为 15mΩ,最大漏极电流 (ID) 为 -13A。此 MOSFET 适合用于需要高开关速度和低导通电阻的低电压环境下的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A 21mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明

- **型号**: FSS139-TL-E-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 P-Channel
- **漏极源极电压 (VDS)**: -20V
- **门极源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门极阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **漏极-源极导通电阻 (RDS(ON))**:
- 21mΩ @ VGS=2.5V
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: -13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

FSS139-TL-E-VB MOSFET 的低导通电阻和较高的电流能力使其在多个领域和模块中表现出色:

1. **低电压电源管理**: 在低电压电源管理应用中,如DC-DC转换器和电源开关,该 MOSFET 可以提供高效的电源转换和控制。其低导通电阻有助于减少功耗,提高系统效率。

2. **电池管理系统**: FSS139-TL-E-VB 适用于电池管理系统中的开关控制。它能够处理较高的电流负荷,同时保持低导通电阻,从而提升电池使用效率和延长电池寿命。

3. **电机驱动**: 在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于电机控制电路中,提供高效的开关操作。其高电流处理能力和低导通电阻可以优化电机的性能和效率。

4. **保护电路**: 在过电流和过压保护电路中,FSS139-TL-E-VB 能够稳定地开关,保护敏感电子设备免受电压冲击和过载影响。其高开关速度和低导通电阻确保保护电路的可靠性和响应速度。

FSS139-TL-E-VB MOSFET 的高性能特性使其在多种低电压应用中表现出色,提供可靠的开关操作和高效能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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