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FSS134-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FSS134-TL-E-VB** 是一款高性能P沟道MOSFET,封装为SOP8,专为低电压应用设计。该MOSFET具有最大漏极-源极电压为-30V,适合于需要高效开关和低导通电阻的电路。其导通电阻分别为24mΩ(VGS = 4.5V)和18mΩ(VGS = 10V),漏极电流最大为-9A,采用Trench技术,以提高性能和效率。FSS134-TL-E-VB在电源管理和低电压开关应用中表现出色,是需要高效率和可靠性的P沟道MOSFET的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明

- **封装**:SOP8
- **配置**:单极P沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:-30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-9A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **电源管理**
- FSS134-TL-E-VB的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源管理应用中。尤其在DC-DC转换器和电源开关中,能够提供高效的开关性能和低功耗,优化电源的整体效率。

2. **低电压开关**
- 由于其-30V的最大漏极-源极电压,FSS134-TL-E-VB适用于低电压开关应用。它可以用于控制低电压电源中的开关,如电池管理系统中的负载开关,确保在低电压条件下的可靠开关控制。

3. **电池保护**
- 在电池保护电路中,FSS134-TL-E-VB可以作为保护开关使用。其低导通电阻和较高的电流处理能力使其能够在电池保护电路中有效地保护电池免受过流和短路的影响。

4. **负载开关**
- 该MOSFET在负载开关应用中也表现出色。它可以用于各种低电压负载的开关控制,如LED驱动电路、微型电机控制和其他低电压负载的开关控制,提供稳定的性能和高效的开关操作。

FSS134-TL-E-VB凭借其-30V的电压耐受能力、9A的电流处理能力和低导通电阻,在电源管理、低电压开关、电池保护和负载开关等领域中都能提供优异的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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