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FS5UMH-2-VB 产品详细

产品简介:

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**FS5UMH-2-VB** 是一款采用 TO220 封装的单极性 N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 具有 100V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),使用 Trench 技术,以保证其高性能和高效能。其阈值电压(Vth)为 1.8V,具有 127mΩ 的开态电阻(RDS(ON)@VGS=10V),支持最大 18A 的漏极电流(ID)。这款 MOSFET 设计用于要求较高开关性能和较低导通电阻的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装**: TO220
- **配置**: 单极性 N 沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**: 100V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.8V
- **开态电阻(RDS(ON))**: 127mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 18A
- **技术**: Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理**: FS5UMH-2-VB 可用于开关电源(SMPS)和电源转换器中,其高耐压和低 RDS(ON) 使其在高效能的电源管理中表现出色。通过减小导通损耗,它能够提高电源效率并降低热损耗。

2. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器中,FS5UMH-2-VB 作为开关元件提供高效的电流传输,并在开关操作中保持低导通电阻。这对于需要高电流和高开关频率的应用非常重要,如笔记本电脑和服务器电源模块。

3. **电机驱动**: 在电机驱动电路中,这款 MOSFET 可以用作开关器件来控制电机的电流,从而优化电机性能和功率效率。其高耐压能力和低 RDS(ON) 能够有效支持电机驱动应用中的大电流需求。

4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,FS5UMH-2-VB 可以用于各种开关应用,如电源开关、负载开关和电机控制。其高耐压和稳定的开关性能使其适用于汽车电气系统的严格要求。

5. **LED 驱动**: 在 LED 照明驱动中,FS5UMH-2-VB 能够高效地开关 LED 电流,提供稳定的亮度输出,并且其低导通电阻有助于减少热量产生,提高系统的可靠性和寿命。

这种 MOSFET 的高耐压和低导通电阻特性使其在需要高电流和高效率的电子设计中非常有用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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