FS50UMJ-03-VB - VBsemi MOS管制造商

FS50UMJ-03-VB 产品详细

描述
参数
应用
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产品简介：

一、FS50UMJ-03-VB 型号的产品简介

FS50UMJ-03-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为低电压、高电流应用设计。其漏源电压（VDS）为30V，适用于需要处理中等电压和高电流的应用场景。该MOSFET具有极低的导通电阻，分别为7mΩ（@ VGS=10V）和10mΩ（@ VGS=4.5V），这使得它在开关操作中能有效减少功率损耗。阈值电压（Vth）为1.7V，保证了较低的栅源驱动电压即可有效开通。结合Trench技术，FS50UMJ-03-VB 能提供高达70A的连续漏极电流（ID），在电源管理、电机驱动和功率开关等领域中表现出色。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	70A			7mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	70A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	70A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

二、FS50UMJ-03-VB 的详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **通道配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 30V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**: 70A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

三、FS50UMJ-03-VB 的应用领域和模块

FS50UMJ-03-VB 的优越性能使其适用于多种领域和模块，包括：

1. **开关电源**: 在开关电源中，FS50UMJ-03-VB 能提供高效的开关性能，减少能量损耗，提高电源转换效率。它在高频开关操作中表现优异，适合用于AC/DC和DC/DC电源转换器。

2. **电动工具**: 在电动工具的电机驱动系统中，该MOSFET能够处理高电流，控制电机的启停和速度调节。由于其低导通电阻，它能够有效降低功耗并提高电动工具的整体性能和可靠性。

3. **电池充电器**: FS50UMJ-03-VB 可用于锂电池充电器中，提供稳定的开关控制，确保高效、可靠的充电过程，防止过热和过充。

4. **功率开关**: 在各种功率开关应用中，如电机驱动、加热元件控制等，该MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想的选择，能够确保系统的高效运作和长寿命。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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