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FS2UM-12-VB 产品详细

产品简介:

FS2UM-12-VB MOSFET 产品简介

FS2UM-12-VB 是一种高压单N沟道MOSFET,封装形式为TO220,专为高电压应用设计。该MOSFET 的漏源极电压 (VDS) 高达650V,能够在较高电压条件下稳定工作。它的栅源极电压 (VGS) 保护范围为±30V,并且采用了平面工艺技术,以确保在高电压条件下的稳定性和性能。FS2UM-12-VB 的开启电压为3.5V (Vth),在VGS为4.5V时,其导通电阻 (RDS(ON)) 为3900mΩ,在VGS为10V时为3120mΩ。该MOSFET 支持最大漏极电流2A,适用于需要高电压和适中电流的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FS2UM-12-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面工艺

领域和模块应用:

适用领域和模块

FS2UM-12-VB MOSFET 适用于以下领域和模块:

1. **高压直流电源**: 在高压直流电源应用中,FS2UM-12-VB 可作为主开关器件,处理高电压输入并提供稳定输出,适合用于需要高电压保护的电源转换。

2. **开关电源模块**: 在开关电源模块中,尤其是在要求高电压耐受能力的场合,该MOSFET 可以作为开关元件,提供可靠的开关性能。

3. **工业电机驱动**: 适用于电机驱动系统中的高压开关应用,能够在电机启动和运行过程中稳定控制电流,适合于高压电机控制模块。

4. **功率因数校正 (PFC) 电路**: FS2UM-12-VB 适用于功率因数校正电路,在高电压条件下进行有效的开关操作,帮助改善电源的功率因数。

5. **高压开关设备**: 在高压开关设备中,例如高压继电器和接触器的控制电路中,该MOSFET 能够处理高电压和适中电流的开关操作,适合用于高电压控制和保护系统。

由于其高电压能力和适中的导通电阻,FS2UM-12-VB 是各种高电压应用中的可靠选择,能够在不同的工作环境中提供稳定的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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