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FQPF11N80-VB 产品详细

产品简介:

FQPF11N80-VB 产品简介

FQPF11N80-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,适用于高压应用场景。该器件具有800V的耐压能力,提供了在高电压环境下的可靠运行保障。其设计采用了超级结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,显著降低了导通电阻,使得器件在高功率传输时具备更低的功耗和更高的效率。此MOSFET具有良好的热性能和电气特性,广泛应用于开关电源、电机控制、以及各种工业和消费电子设备中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 15A 380mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FQPF11N80-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-220
- **极性**: 单N沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 800V
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI(超级结和多重外延技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

FQPF11N80-VB的高耐压和低导通电阻使其特别适用于需要高压控制和开关的应用场景。以下是一些适用领域和模块的示例:

1. **开关电源(SMPS)**: 该MOSFET在高压开关电源中表现出色,能够有效处理输入电压的转换和调节,提供稳定的输出电压。其低导通电阻有助于提高整体能效,减少能量损耗。

2. **电机控制**: 在工业电机驱动中,FQPF11N80-VB可用于高压逆变器电路,实现高效的电机控制。其高耐压能力确保在严苛的电气环境中保持可靠性能。

3. **照明系统**: 该MOSFET适用于高压LED驱动电路,能够高效地管理电能的转换和分配,确保照明系统的稳定性和长寿命。

4. **工业自动化设备**: 在各种工业自动化设备中,该器件可以用于驱动电路,提供稳定的高压控制,同时其高可靠性满足工业应用的苛刻要求。

FQPF11N80-VB凭借其卓越的电气特性和可靠性,在多个高压应用中占据了重要位置,是高效能应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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