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FQP9P25-VB 产品详细

产品简介:

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FQP9P25-VB 是一款高压 P 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压和中等电流的应用设计。其最大漏极源极电压(V_DS)为 -250V,最大栅极源极电压(V_GS)为 ±20V,阈值电压(V_th)为 -2V。在栅极源极电压(V_GS)为 10V 时,导通电阻(R_DS(ON))为 1000mΩ;在 V_GS 为 4.5V 时为 1200mΩ。最大漏极电流(I_D)为 -7A。FQP9P25-VB 采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻和优良的开关性能,适合用于高电压开关应用和负载控制。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -250V -2V -7A 1000mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -250V -2V -7A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -250V -2V -7A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极 P 通道
- **最大漏极源极电压(V_DS)**:-250V
- **最大栅极源极电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:-2V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 1200mΩ @ V_GS = 4.5V
- 1000mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流(I_D)**:-7A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高压电源开关**:
FQP9P25-VB 在高压电源开关应用中表现出色,特别适用于高电压 DC-DC 转换器和电源管理系统。其高电压耐受性和低导通电阻使其能够有效地处理高电压负载,提供稳定的开关控制和电源保护。

2. **电机反向控制**:
该 MOSFET 适用于电机驱动系统中,尤其是在需要负载反向控制的应用中。FQP9P25-VB 的高电压和中等电流处理能力使其能够稳定地控制电机的正反转,实现灵活的电机控制和保护。

3. **高压逆变器**:
在高压逆变器应用中,FQP9P25-VB 可以用于高压负载开关和保护电路。其优良的开关性能和高电压耐受性确保了逆变器的高效运行和可靠性,适合于各种高功率电力转换应用。

4. **电源管理模块**:
FQP9P25-VB 也适合用于电源管理模块,如电池保护电路和功率调节器。其低导通电阻和高电压处理能力使其能够有效地管理和控制电源,提升电源系统的效率和安全性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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