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FQP80N10-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FQP80N10-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封装为 TO220。该 MOSFET 设计用于高电流和高开关频率的应用,具有高达 100V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS)。其阈值电压(Vth)为 2.5V,在 VGS = 10V 条件下,导通电阻(RDS(ON))为 9mΩ,VGS = 4.5V 时为 20mΩ。其最大漏电流(ID)为 100A。FQP80N10-VB 使用 Trench 技术,提供低导通电阻和高电流处理能力,适用于高效电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: FQP80N10-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N型通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ (VGS = 4.5V)
- 9mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**FQP80N10-VB** 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域和模块中具有广泛的应用:

1. **高电流开关(High-Current Switching)**: 由于其高达 100A 的漏电流处理能力,FQP80N10-VB 非常适合用于高电流开关应用。例如,它可以用于高功率电源系统中的开关控制,能够有效处理大电流,减少功率损耗,提高系统效率。

2. **电源管理(Power Management)**: 在电源管理模块中,FQP80N10-VB 可以作为高效的开关元件使用,适用于 DC-DC 转换器和电源模块。其低导通电阻有助于减少电源损耗,提升电源管理系统的整体性能和能效。

3. **电动汽车(Electric Vehicles)**: 该 MOSFET 适用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动系统以及其他高电流控制模块。其优越的高电流处理能力和低功耗特性确保了电动汽车系统的高效稳定运行。

4. **功率放大器(Power Amplifiers)**: 在高功率放大器应用中,FQP80N10-VB 可以用于功率级的开关和控制,提供稳定的功率输出和高效能。其高电流和低导通电阻特性非常适合高功率放大器的需求。

5. **工业控制(Industrial Control)**: 在工业控制系统中,FQP80N10-VB 可用于控制高电流负载,如电机和加热元件。其高电流能力和低导通电阻使其能够高效控制工业设备,提高系统的可靠性和效率。

这些应用展示了 FQP80N10-VB 在各种高电流和高效率要求的场合中的优势,使其成为高电流开关和电源管理系统的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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