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FQP7N80C-VB 产品详细

产品简介:

FQP7N80C-VB MOSFET 产品简介

FQP7N80C-VB 是一款高电压单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装。该MOSFET 具有高达800V的漏源电压 (VDS) 和±30V的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为3.5V。其导通电阻 (RDS(ON)) 在VGS=10V时为1300mΩ,最大漏极电流 (ID) 为5A。FQP7N80C-VB 使用SJ_Multi-EPI技术,这种技术赋予了MOSFET 优秀的高电压处理能力和可靠性,适合在高压环境下的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A 1300mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FQP7N80C-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI技术
- **功率耗散**: 需参考产品手册的具体数值,根据应用场景进行功率管理。

领域和模块应用:

FQP7N80C-VB MOSFET 应用领域与模块举例

FQP7N80C-VB MOSFET 由于其高电压和适中的电流处理能力,非常适用于以下领域和模块:

1. **高压开关电源 (SMPS)**: FQP7N80C-VB 适用于高压开关电源设计,如高压电源转换器和DC-DC转换器。其800V的漏源电压能够处理高电压输入,适合在电源模块中用作开关元件,以确保高效能量转换和稳定的电源输出。

2. **电机驱动系统**: 在高压电机驱动系统中,FQP7N80C-VB 可以作为开关元件用于直流电机或步进电机控制。其高电压处理能力使其能够稳定地控制电机启动和运行,尤其适用于高电压电机控制应用。

3. **功率逆变器**: FQP7N80C-VB 也适用于功率逆变器和高压功率模块。其800V的漏源电压使其能够应对逆变器中的高电压需求,而其导通电阻和电流处理能力使其适合用于中等功率的逆变器设计。

4. **高压照明系统**: 在高压照明应用中,如高功率LED驱动或其他高压照明设备中,FQP7N80C-VB 可以用作开关元件。其高电压耐受性确保了在高电压环境下的稳定工作,适合用于大型照明解决方案。

5. **电力保护电路**: FQP7N80C-VB 适用于高压电力保护电路,例如过压保护和浪涌保护应用。其高电压承受能力和可靠的开关性能使其能够有效地保护电路免受高电压或电流浪涌的损害。

综上所述,FQP7N80C-VB MOSFET 凭借其高电压处理能力和适中的电流承载能力,适用于高压开关电源、电机驱动系统、功率逆变器、高压照明系统和电力保护电路等应用,为这些系统提供了稳定、高效的开关解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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