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FQP5P20-VB 产品详细

产品简介:

FQP5P20-VB MOSFET 产品简介

FQP5P20-VB 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,封装类型为 TO220,专为负压应用设计。该 MOSFET 的漏源电压 (VDS) 为 -200V,栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V,适合高电压环境中的开关应用。其阈值电压 (Vth) 为 -3V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 1200mΩ,在 VGS=10V 时为 800mΩ,能够承受高达 -5A 的连续漏电流 (ID)。FQP5P20-VB 采用 Trench 技术,提供了优异的开关性能和可靠性,适用于需要高耐压和低导通损耗的负极开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -200V -3V -5A 800mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -200V -3V -5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -200V -3V -5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
FQP5P20-VB MOSFET 详细参数说明

1. **封装类型**: TO220
2. **配置**: 单 P 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: -200V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**: -3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 800mΩ @ VGS = 10V
7. **连续漏电流 (ID)**: -5A
8. **技术**: Trench

领域和模块应用:

FQP5P20-VB MOSFET 的应用领域和模块

FQP5P20-VB 的高耐压和低导通电阻特性使其在多个高压和高效能负极应用中表现优异,以下是一些典型的应用领域和模块示例:

1. **负极电源开关**: FQP5P20-VB 非常适合用于高电压负极开关应用,如电源管理和负载开关。其高漏源电压能力和低导通电阻保证了在负电压环境中的高效能开关性能。

2. **功率转换器**: 在功率转换器中,FQP5P20-VB 可以用作负极开关元件,处理高电压的转换过程。其优异的开关性能和低功耗特性能够提高功率转换效率,确保设备的稳定性。

3. **逆变器电路**: 在逆变器电路中,该 MOSFET 可用于高电压负极控制。FQP5P20-VB 的高耐压和可靠性保证了逆变器在高负压下的稳定运行。

4. **高压电机驱动**: 该 MOSFET 适用于高压电机驱动电路,能够在高电压环境中高效开关。其低导通电阻和高漏源电压能力使其成为高压电机驱动系统的理想选择。

5. **高电压负载控制**: FQP5P20-VB 也适用于高电压负载控制应用,如高压负载的开关控制。其优异的性能能够有效管理高电压负载,确保系统的稳定性和可靠性。

这些应用示例展示了 FQP5P20-VB 在高电压和高效能负极开关应用中的广泛适用性。凭借其高耐压和低导通电阻,该 MOSFET 能够为各种负极开关和电源管理系统提供可靠的支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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