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FQP5N50C-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FQP5N50C-VB** 是一款高电压 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。此 MOSFET 设计用于处理高达 600V 的漏源电压(VDS),具有 ±30V 的最大栅源电压(VGS),阈值电压(Vth)为 3.5V。在 VGS = 10V 条件下,导通电阻(RDS(ON))为 780mΩ,而在 VGS = 4.5V 条件下为 1070mΩ。其最大漏电流(ID)为 8A。FQP5N50C-VB 采用平面(Plannar)技术,提供稳定的开关性能和高电压处理能力,适用于各种高电压应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: FQP5N50C-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N型通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压 (VDS)**: 600V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ (VGS = 4.5V)
- 780mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

应用领域和模块

**FQP5N50C-VB** 的高电压耐受性和稳定的开关性能使其在多个应用领域中非常有用:

1. **高压电源(High-Voltage Power Supplies)**: FQP5N50C-VB 适用于高压电源设计,如电源转换器和电源模块。它能够处理高电压输入并提供稳定的开关功能,以确保电源系统的高效和可靠运行,尤其是在需要高电压处理的应用场景中表现突出。

2. **逆变器(Inverters)**: 在逆变器应用中,特别是处理高电压的直流到交流转换时,FQP5N50C-VB 提供了稳定的开关性能。它的高电压能力和较低的导通电阻有助于提高逆变器的效率和性能,使其适用于要求高电压操作的逆变器设计。

3. **照明系统(Lighting Systems)**: FQP5N50C-VB 适用于高压照明系统,如 HID 灯具和其他高功率照明应用。其高电压处理能力和低导通电阻使其能够作为开关元件,提供可靠的电流控制,确保照明系统的稳定性和长寿命。

4. **工业自动化(Industrial Automation)**: 在工业控制系统中,FQP5N50C-VB 可用于驱动高电压负载和控制电机。其高电压和电流处理能力使其适合于要求严格的工业环境中,提供高效的开关和控制功能。

5. **功率转换器(Power Converters)**: 该 MOSFET 适用于各种功率转换器应用,如 AC-DC 转换器和高压 DC-DC 转换器。FQP5N50C-VB 能够在高压环境中稳定工作,提高功率转换器的效率和性能。

这些应用领域展示了 FQP5N50C-VB 在高电压开关和控制系统中的重要作用。其优越的高电压处理能力、低导通电阻和可靠的开关性能,使其成为各种高电压应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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