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FQP44N10-VB 产品详细

产品简介:

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FQP44N10-VB 是一款高效能 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电流和中等电压应用设计。该器件的最大漏极源极电压(V_DS)为 100V,最大栅极源极电压(V_GS)为 ±20V,阈值电压(V_th)为 1.8V。其导通电阻(R_DS(ON))在 V_GS 为 4.5V 时为 38mΩ,在 V_GS 为 10V 时为 36mΩ,最大漏极电流(I_D)为 55A。FQP44N10-VB 采用 Trench 技术,具有低导通电阻和快速开关速度,适用于需要高电流传输和低功耗的各种应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏极源极电压(V_DS)**:100V
- **最大栅极源极电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:1.8V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 38mΩ @ V_GS = 4.5V
- 36mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流(I_D)**:55A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理系统**:
FQP44N10-VB 在电源管理系统中非常适合用于高效 DC-DC 转换器和电源适配器。其低导通电阻和高电流能力能够有效减少功率损耗,提升转换效率,确保系统的可靠性和节能性能。

2. **电机驱动**:
该 MOSFET 适用于各种电机驱动应用,如电动工具和工业电机控制。其高电流承载能力和低导通电阻确保了在高功率情况下的稳定运行,适用于需要精准控制和高效率的电机驱动电路。

3. **汽车电子**:
FQP44N10-VB 还适用于汽车电子系统中的电源管理和开关应用,如电池管理系统和车载充电器。其耐用的设计和高效的电流处理能力能够应对苛刻的汽车环境,保证车辆电子系统的稳定性和性能。

4. **音频放大器**:
在音频放大器设计中,FQP44N10-VB 可用于高功率放大器的开关元件。其低导通电阻和高电流能力能够减少信号失真,提供高质量的音频输出,提升整体音频系统的性能和音质。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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