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FQP3P20-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FQP3P20-VB** 是一款高性能 P-Channel MOSFET,封装形式为 TO220。此 MOSFET 适用于负电压(即源极电压为负,相对栅极电压),具有高达 -200V 的漏源电压(VDS)。其最大栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 -3V。在 VGS = 10V 条件下,导通电阻(RDS(ON))为 800mΩ,在 VGS = 4.5V 条件下为 1200mΩ。最大漏电流(ID)为 -5A。FQP3P20-VB 采用 Trench 技术,提供高效的开关性能和优良的电流控制特性,适合用于各种高电压负载的开关和控制应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -200V -3V -5A 800mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -200V -3V -5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -200V -3V -5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
详细参数说明

- **型号**: FQP3P20-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单P型通道(Single-P-Channel)
- **最大漏源电压 (VDS)**: -200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1200mΩ (VGS = 4.5V)
- 800mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**: -5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**FQP3P20-VB** 的特点使其非常适合以下应用场景:

1. **DC-DC 转换器(DC-DC Converters)**: 由于其高电压耐受性和较低的导通电阻,FQP3P20-VB 可以有效地用于 DC-DC 转换器中的开关元件。在这种应用中,它能够处理高电压输入并提供高效的电流转换,确保电源的稳定性和效率。

2. **负载开关(Load Switches)**: 在负载开关应用中,FQP3P20-VB 可以用于控制负电压负载的开关操作。其低导通电阻和高电压耐受能力使其适合用于电路保护和开关控制。

3. **功率管理(Power Management)**: 该 MOSFET 适用于功率管理模块,特别是需要在负电压环境中进行功率控制的系统。它能够提供可靠的开关和控制功能,提高系统的功率效率和稳定性。

4. **高压开关(High-Voltage Switches)**: FQP3P20-VB 适用于需要高电压处理的开关应用,例如在高压直流电源中控制电流流动。其高电压耐受性和良好的开关特性确保了高压开关的可靠性和长寿命。

5. **电机驱动(Motor Drives)**: 在电机驱动应用中,尤其是处理负电压环境时,FQP3P20-VB 可以用作电机驱动的开关元件,提供稳定的电流控制和保护功能。

这些应用场景展示了 FQP3P20-VB 在高电压和负电压处理中的广泛适用性,其优良的开关性能和电流控制能力使其成为各种高电压开关和控制系统的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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