FQP32N20C-VB - VBsemi MOS管制造商

FQP32N20C-VB 产品详细

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产品简介：

FQP32N20C-VB MOSFET 产品简介

FQP32N20C-VB是一款高电压N沟道MOSFET，采用TO220封装，设计用于高功率电力电子应用。该MOSFET具有200V的漏源电压（VDS）和35A的连续漏极电流（ID），能够在较高电压和电流条件下稳定工作。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为58mΩ，有助于减少开关过程中产生的能量损耗。FQP32N20C-VB采用Trench技术，提供了优良的开关性能和热管理能力，使其适合于各种高压功率控制应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	200V		3V	35A			58mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	200V		3V	35A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	200V		3V	35A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

FQP32N20C-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型（Package）：** TO220
- **配置（Configuration）：** 单N沟道（Single-N-Channel）
- **漏源电压（VDS）：** 200V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 58mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）：** 35A
- **技术（Technology）：** Trench技术
- **其他特点：** 高电压处理能力、低导通电阻、优良的热性能和开关速度

领域和模块应用：

FQP32N20C-VB MOSFET 适用领域与模块

FQP32N20C-VB MOSFET适用于各种需要高电压和高电流的电子应用。例如，在**电源管理系统**中，这款MOSFET可以作为高效的开关元件，用于高电压DC-DC转换器，提高系统的能效和稳定性。在**电机驱动控制**中，FQP32N20C-VB能够提供强大的电流支持，适合高功率电机的控制和驱动。此外，在**开关电源**和**逆变器**系统中，该MOSFET可以有效管理功率转换，确保在高电压条件下稳定运行。它也适用于**家用电器**和**工业设备**中的功率控制模块，为各种电力需求提供可靠的解决方案。

凭借其高电压耐受能力和低导通电阻，FQP32N20C-VB MOSFET在许多高功率应用中表现出色，是各种电力电子系统的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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