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FQP2N90-VB 产品详细

产品简介:

FQP2N90-VB 产品简介

**FQP2N90-VB** 是一款超高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。该器件设计用于极高电压的应用场景,其漏源极电压高达 900V。由于使用了 SJ_Multi-EPI 技术,该 MOSFET 在保持高压承载能力的同时,能够提供较低的导通电阻。尽管它的漏极电流较低(5A),但其高压特性使其非常适用于需要高压隔离和切换的应用,如高压电源、工业设备和电力传输系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A 1500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单个 N-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: 900V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**1. 高压电源**

FQP2N90-VB 非常适合用于高压电源应用,特别是在需要隔离和转换高压电流的情况下。其 900V 的高漏源极电压使其能够承受极高的电压冲击,而较低的导通电阻则有助于减少功率损耗,提升电源转换效率。

**2. 工业设备**

在工业设备中,该 MOSFET 可用于高压控制和电源管理。FQP2N90-VB 的高电压能力使其能够处理高电压设备的开关操作,如大型电机控制系统、加热器控制和工业电源单元。

**3. 电力传输系统**

该 MOSFET 也适合用于电力传输和配电系统中的高压切换。FQP2N90-VB 的超高压承受能力确保其在高电压环境中稳定运行,适用于需要远程电力传输的系统,尤其是在输电线路和高压变电站的应用中。

**4. 高压逆变器**

FQP2N90-VB 还适用于高压逆变器应用中,特别是在处理高压直流电的转换时。其高耐压特性使其能够应对严苛的逆变操作,确保逆变器的高效能运行和长寿命。

这些应用示例展示了 FQP2N90-VB 在高压和高隔离需求环境中的优越表现,使其成为高压电源、工业设备和电力传输等领域中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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