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FQP15N80-VB 产品详细

产品简介:

FQP15N80-VB MOSFET 产品简介

FQP15N80-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高功率和高电压应用设计。该 MOSFET 的漏源电压 (VDS) 高达 800V,栅源电压 (VGS) 范围为 ±30V,确保了其在高压环境下的可靠性和耐受性。FQP15N80-VB 的阈值电压 (Vth) 为 3.5V,具有较低的导通电阻 (RDS(ON)),在 10V 栅极电压下为 380mΩ,可承载高达 15A 的连续漏电流 (ID)。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,提供了优异的开关性能和低导通损耗,适用于多种要求严苛的高压应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 15A 380mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FQP15N80-VB MOSFET 详细参数说明

1. **封装类型**: TO220
2. **配置**: 单 N 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 800V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±30V
5. **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V
7. **连续漏电流 (ID)**: 15A
8. **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

FQP15N80-VB MOSFET 的应用领域和模块

FQP15N80-VB MOSFET 由于其高电压耐受性和良好的功率处理能力,在多个高压和高功率应用中均有广泛应用:

1. **高压电源转换器**: FQP15N80-VB 能够承受高达 800V 的漏源电压,使其在高压电源转换器中表现出色。它可以高效地管理和转换高电压电源,适用于工业和电力系统中的电源管理模块。

2. **开关电源 (SMPS)**: 在开关电源应用中,该 MOSFET 的低导通电阻和高电流承载能力可确保在高压情况下提供稳定的电力转换和开关操作,提升整体系统效率。

3. **电机驱动系统**: 由于其高电流承载能力,FQP15N80-VB 适用于需要高压和高功率控制的电机驱动系统,能够提供可靠的电源开关功能,确保电机的稳定运行。

4. **电力控制和配电**: FQP15N80-VB 适用于需要高压开关和功率控制的电力系统,如配电和电网管理模块。其高耐压性和低导通损耗使其成为这些应用中的理想选择。

5. **焊接设备和工业电气设备**: 该 MOSFET 可用于高压焊接设备和其他工业电气设备,提供高效的电力转换和控制,满足苛刻的工业应用需求。

通过这些应用示例,FQP15N80-VB MOSFET 展示了其在高电压和高功率应用中的重要性,成为工业、能源和电力控制等领域中的关键组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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