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FQP14N30-VB 产品详细

产品简介:

FQP14N30-VB 产品简介

**FQP14N30-VB** 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。它具有较高的漏源极电压(VDS)和较大的漏极电流(ID),使其在高电压应用中表现优异。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,这种技术提升了其性能,特别是在高电压和高功率条件下。FQP14N30-VB 的低 RDS(ON) 和宽栅源极电压范围,使其适用于各种高压开关和电源管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单个 N-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**1. 高压开关**

FQP14N30-VB 是高压开关电路中的理想选择。其高达 650V 的漏源极电压使其能够在高电压条件下稳定工作,适用于各种电源开关应用,如工业设备中的开关电源和高电压直流开关。

**2. 电源管理**

在电源管理系统中,如高压 DC-DC 转换器,FQP14N30-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其能够有效地控制电源流动,提高系统的整体效率。其 SJ_Multi-EPI 技术确保在高压下的可靠性和耐久性。

**3. 逆变器**

在太阳能逆变器和其他电力转换设备中,该 MOSFET 的高耐压特性使其适合用于高电压转换。其高漏极电流和低 RDS(ON) 特性也有助于减少转换过程中的能量损失。

**4. 高功率应用**

FQP14N30-VB 适用于需要高电流和高电压的功率应用,如电机驱动和大功率放大器。其高电压承受能力和高电流处理能力确保设备在高功率下的稳定性和可靠性。

这些应用示例展示了 FQP14N30-VB 在高电压和高功率条件下的可靠性能,使其在电源开关、电源管理、逆变器和高功率设备中具有广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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