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FQP10N50CF_08-VB 产品详细

产品简介:

FQP10N50CF_08-VB MOSFET 产品简介

FQP10N50CF_08-VB 是一款采用 TO220 封装的单 N 沟道 MOSFET,具备高耐压和优良的功率处理能力。该 MOSFET 的最大漏源电压 (VDS) 高达 650V,栅源电压 (VGS) 范围为 ±30V,使其在高电压应用中具有良好的可靠性。其阈值电压 (Vth) 为 3.5V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 10V 栅极电压下为 500mΩ,能够承载高达 9A 的连续漏电流 (ID)。采用 SJ_Multi-EPI 技术的 FQP10N50CF_08-VB 提供了良好的开关性能和较低的功耗,适用于各种高压和高功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FQP10N50CF_08-VB MOSFET 详细参数说明

1. **封装类型**: TO220
2. **配置**: 单 N 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 650V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±30V
5. **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
7. **连续漏电流 (ID)**: 9A
8. **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

FQP10N50CF_08-VB MOSFET 的应用领域和模块

FQP10N50CF_08-VB MOSFET 由于其高耐压和良好的功率处理能力,广泛应用于以下领域和模块:

1. **高压电源转换**: 其 650V 的漏源电压和高功率处理能力使其在高压电源转换器中表现优异,能够有效管理和转换高电压电源,适用于工业和商业电源系统。

2. **电力开关**: 在需要高电压开关的场合,例如开关电源(SMPS)和高压电源模块,FQP10N50CF_08-VB 提供稳定的性能和可靠的开关特性。

3. **电机控制**: 该 MOSFET 可以用于高压电机驱动系统中,提供高效的电力开关功能,确保电机的稳定运行。

4. **焊接设备**: 在高功率焊接设备中,FQP10N50CF_08-VB 的高电压和高电流承载能力能够满足焊接过程中的严格要求。

5. **不间断电源(UPS)**: 该 MOSFET 适合用于 UPS 系统中,以处理高电压和高电流,提供可靠的电源备份。

这些应用展示了 FQP10N50CF_08-VB 在高压、高功率环境中的重要性和广泛适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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