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FMP12N50ES-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FMP12N50ES-VB** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装类型为TO220,专为高电压应用设计。其漏极-源极耐压(VDS)为650V,适合在高电压环境下稳定工作。栅极-源极最大电压(VGS)为±30V,提供了灵活的控制电压范围。阈值电压(Vth)为3.5V,确保在适当的栅极电压下能够可靠开启。MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为500mΩ(VGS=10V),在导通状态下具有较低的功耗。最大连续漏极电流(ID)为9A,使其能够处理中等电流负载。FMP12N50ES-VB 采用SJ_Multi-EPI技术,这一技术提升了MOSFET 的开关性能和电流处理能力,确保其在高电压和高功率环境中的稳定性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: FMP12N50ES-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压(VDS)**: 650V
- **栅极-源极最大电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 500mΩ@VGS=10V
- **最大连续漏极电流(ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **高电压电源管理**: FMP12N50ES-VB 的650V耐压能力使其非常适合用于高电压电源管理应用。这包括高压开关电源和电源转换器。MOSFET 的低导通电阻和高电压能力能够有效提高电源的效率,减少功率损耗,并确保系统的稳定性。

2. **工业电力转换**: 在工业电力转换设备中,如电力逆变器和变频器,FMP12N50ES-VB 能够处理高电压和中等电流负载。其稳定的开关特性和耐压能力使其适合在这些设备中用作开关元件,提升系统性能和可靠性。

3. **电机驱动**: 该MOSFET 在电机驱动应用中表现出色,尤其是在高压电动机和工业电动机控制系统中。其高电压耐受能力和相对较低的导通电阻使其能够有效控制电机,确保平稳运行和高效能。

4. **开关电源(SMPS)**: FMP12N50ES-VB 适用于开关电源中的高压开关应用。其650V的耐压和500mΩ的导通电阻使其在开关电源中的开关和调节过程非常可靠,有助于提升整体能效和系统稳定性。

5. **高压保护电路**: 在高压保护电路中,FMP12N50ES-VB 的高耐压和良好的电流处理能力使其能够用作保护元件,防止电路中的过压情况。MOSFET 的稳定性能保证了电路的安全性和长寿命。

总的来说,FMP12N50ES-VB 是一款适用于高电压电源管理、工业电力转换、电机驱动、开关电源和高压保护电路等领域的高性能功率MOSFET。其优良的电气特性和可靠的性能使其在这些应用中表现突出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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