产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
700V |
|
3.5V |
12A |
|
|
870mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
700V |
|
3.5V |
12A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
700V |
|
3.5V |
12A |
|
Plannar |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
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参数说明
1. **封装类型**: TO220
TO220封装为FMP11N70E-VB提供了良好的散热性能和电气连接,适合处理高功率应用。
2. **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
单N沟道MOSFET配置使其能够高效地控制电流,适合用于高电压和高电流开关应用。
3. **漏源极电压 (VDS)**: 700V
700V的漏源极电压允许FMP11N70E-VB在高电压环境下可靠工作,适合用于高电压开关和功率管理系统。
4. **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
±30V的栅源极电压范围确保了MOSFET能够在多种控制电压下稳定工作,提高了系统的灵活性和可靠性。
5. **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
3.5V的栅阈值电压确保了MOSFET在较低的栅极电压下就能开启,从而提高了开关效率。
6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 870mΩ @ VGS=10V
在10V栅极电压下,870mΩ的导通电阻提供了较低的导通损耗,能够提高系统的能效和电力传输效率。
7. **最大漏极电流 (ID)**: 12A
最大漏极电流为12A,适合处理中高电流负载,满足各种开关和功率控制应用的需求。
8. **技术类型**: Plannar
Plannar技术提供了高电压耐受能力和低导通电阻,使得FMP11N70E-VB在高电压和高电流应用中表现优异。
领域和模块应用:
适用领域和模块
FMP11N70E-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **高电压电源管理**
在高电压电源管理系统中,FMP11N70E-VB能够高效处理高电压负载,适合用于高压DC-DC转换器和电源调节模块。其700V的电压等级和12A的电流处理能力,能够满足高电压电源管理的需求。
2. **开关模式电源 (SMPS)**
在开关模式电源应用中,FMP11N70E-VB能够处理高电压和高电流,适用于高功率电源模块的开关和控制。其低导通电阻和高电流承受能力使其成为高效率电源管理的理想选择。
3. **高电压开关电路**
该MOSFET适合用于高电压开关电路,如电源开关和负载开关。其700V的漏源极电压和±30V的栅源极电压范围,确保其在各种高电压开关应用中能够稳定运行。
4. **功率放大器**
在功率放大器中,FMP11N70E-VB能够作为开关元件处理高电压和高电流,适合于广播发射器、音频功率放大器等高功率应用,其高电压耐受能力能够满足这些高功率应用的需求。
5. **工业电机驱动**
在工业电机驱动系统中,该MOSFET能够处理高电压电机负载,适合于电动工具、电动汽车驱动系统和工业电机驱动模块。其高电压承受能力和高电流处理能力保证了系统的稳定性和可靠性。
6. **汽车电子**
FMP11N70E-VB适用于汽车电子系统中的高电压开关应用,如电源管理、电动汽车驱动系统和汽车电力开关模块。其高电压承受能力和高电流处理能力能够满足汽车电子系统的需求,提供了可靠的开关解决方案。
FMP11N70E-VB凭借其高电压处理能力、低导通电阻和高电流承受能力,在高电压电源管理、开关模式电源、高电压开关电路、功率放大器、工业电机驱动和汽车电子等领域中,能够提供高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性