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FIR90N03G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FIR90N03G-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装。它专为低电压、高电流应用设计,具有30V的漏极-源极耐压(VDS),适合用于需要高效开关的低压电路。其栅极-源极最大电压(VGS)为±20V,提供了足够的控制灵活性。阈值电压(Vth)为1.7V,能够在较低的栅极电压下启动。FIR90N03G-VB 的导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为4mΩ,在VGS=10V时为3mΩ,表现出极低的导通电阻,从而大大减少了导通损耗。其最大连续漏极电流(ID)高达120A,能够处理大电流负载。采用沟槽技术(Trench),该MOSFET 提供了出色的导电性能和高效的开关特性,非常适合于要求高电流传输和低导通损耗的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: FIR90N03G-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压(VDS)**: 30V
- **栅极-源极最大电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 4mΩ@VGS=4.5V
- 3mΩ@VGS=10V
- **最大连续漏极电流(ID)**: 120A
- **技术**: 沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **低压电源管理**: FIR90N03G-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于低压电源管理系统,如DC-DC转换器和电源调节器。MOSFET 的出色导电性能和低损耗特点能够显著提升电源转换效率。

2. **电池保护电路**: 在电池保护模块中,FIR90N03G-VB 可用于管理大电流的传输,防止电池过充或过放。其高电流处理能力使其成为确保电池安全和延长寿命的重要组件。

3. **电机控制**: FIR90N03G-VB 适用于低压电机控制应用,如电动工具、机器人和无人机中的直流电机驱动。这些应用需要MOSFET 提供高效、稳定的电流控制,同时保持低功耗。

4. **大电流开关应用**: 由于其120A的高电流能力和低导通电阻,FIR90N03G-VB 非常适合用于大电流开关应用,如高功率LED 驱动器、低压大功率开关电路等。

总的来说,FIR90N03G-VB 是一款高效、低损耗的功率MOSFET,专为低电压、高电流应用而设计,适用于电源管理、电池保护、电机控制和大电流开关等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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