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FIR6N60PG-VB 产品详细

产品简介:

FIR6N60PG-VB MOSFET 产品简介

FIR6N60PG-VB 是一款高电压单通道N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,具有600V的高耐压能力和8A的连续漏极电流。这款MOSFET基于平面技术工艺,具备较低的导通电阻(RDS(ON) = 1070mΩ @ VGS = 4.5V 和 RDS(ON) = 780mΩ @ VGS = 10V),适用于各种高电压应用。其栅极阈值电压(Vth)为3.5V,保证了在较低的门极驱动电压下的稳定开启。FIR6N60PG-VB 的设计优化了高压性能和功率处理能力,适合用于需要高电压和高功率处理的场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FIR6N60PG-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: FIR6N60PG-VB
- **封装**: TO220
- **极性**: 单N沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 600V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- 780mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术工艺**: 平面技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **功耗 (Ptot)**: 45W(具体值需参考数据手册)

领域和模块应用:

FIR6N60PG-VB 应用领域和模块示例

1. **高压电源管理**: FIR6N60PG-VB 适用于高压电源管理系统,如开关电源(SMPS)和高压直流-直流转换器。其600V的耐压能力使其能够在处理高电压输入时提供可靠的功率控制和保护,特别适合用于高电压电源模块中。

2. **电机驱动控制**: 在电机控制系统中,FIR6N60PG-VB 可用于电机逆变器和驱动模块。其较低的导通电阻确保了较高的功率效率,适合驱动高电压电机,同时减少功率损耗,提高系统效率。

3. **工业开关设备**: FIR6N60PG-VB 可用于高压工业开关设备中,如高压继电器和开关电路。其高耐压和良好的开关性能使其在工业应用中能够有效地进行高电压开关和保护,保障设备的稳定运行。

4. **家电控制电路**: 在家用电器如空调、洗衣机和电热水器中,FIR6N60PG-VB 可用于高压控制电路,提供稳定的电压调节和开关功能。其高耐压特性使其能够在高电压环境下保持可靠的性能。

这些应用示例表明,FIR6N60PG-VB 在高电压和高功率处理场景中具有广泛的适用性,能够为各种高电压电源和控制系统提供高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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