产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
800V |
|
3.5V |
7A |
|
|
850mΩ |
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
800V |
|
3.5V |
7A |
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
800V |
|
3.5V |
7A |
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
参数说明
1. **封装类型**: TO220
TO220封装提供了良好的散热性能和机械强度，适合在需要高电流能力和高功率处理的应用中使用。
2. **配置**: 单N沟道（Single-N-Channel）
单N沟道配置允许MOSFET在电路中作为开关元件使用，适合控制电感性或电容性负载。
3. **漏源极电压 (VDS)**: 500V
500V的漏源极电压使得该MOSFET能够处理中高压电源应用，适合用于高压电源转换和电机驱动等场合。
4. **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
±30V的栅源极电压提高了MOSFET的耐压能力，使其在高压环境下能够安全操作。
5. **栅阈值电压 (Vth)**: 3.1V
3.1V的栅阈值电压确保MOSFET能够在较低的栅极电压下有效开启，提高了电路设计的灵活性。
6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS=10V
660mΩ的导通电阻在10V栅极电压下能有效降低导通损耗，提高开关效率。
7. **最大漏极电流 (ID)**: 13A
最大漏极电流为13A，使得该MOSFET适合中等电流的应用场合，能够处理较大的电流负荷。
8. **技术类型**: 平面工艺（Plannar）
平面工艺技术提供了良好的制造一致性和可靠性，适合用于各种电源和开关应用中。
领域和模块应用：
适用领域和模块
FIR18N50PG-VB MOSFET适用于以下领域和模块：
1. **电源转换器**
在AC-DC和DC-DC电源转换器中，该MOSFET可作为开关元件，提供高效的电压转换和功率管理。其高压和低导通电阻特性使其在高压电源转换中表现优秀，能显著提升转换效率。
2. **电机驱动**
在工业电机驱动系统中，FIR18N50PG-VB能够处理中等电流，并提供可靠的开关控制，适用于各种电机控制应用，如变频器和电动工具。
3. **高压照明控制**
该MOSFET也适合用于高压LED照明和其他高压照明系统中。其高漏源极电压和低导通电阻特性能够确保灯具的稳定性和能效。
4. **电池管理系统**
在电池管理系统中，FIR18N50PG-VB可用于开关和保护电路，处理高压电池组的充放电管理，确保系统的可靠性和安全性。
5. **高压开关电路**
由于其高压和高电流处理能力，该MOSFET适合用于各种高压开关电路中，包括电力电子和电力保护系统，提供高效的开关控制和保护功能。
通过其高压能力、低导通电阻和良好的热稳定性，FIR18N50PG-VB MOSFET在电源转换、电机驱动、照明控制和电池管理等多种应用中提供了可靠的性能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
