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FIR10N20G-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

FIR10N20G-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,设计用于各种高电压应用场景。该器件的最大漏源电压(VDS)为200V,具有出色的导通电阻性能(RDS(ON) 为310mΩ @ VGS=4.5V 和 270mΩ @ VGS=10V),能够有效降低功耗。其采用了Trench技术,这种技术提供了优异的开关性能和较低的导通电阻,使其非常适合用于高效率电源转换和功率开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A 270mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

- **型号**: FIR10N20G-VB
- **封装类型**: TO220
- **极性**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 310mΩ @ VGS=4.5V
- 270mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C至150°C
- **功率耗散**: 40W

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

1. **开关电源(SMPS)**:FIR10N20G-VB 可用于开关电源中的主功率开关,其较低的导通电阻和较高的耐压能力使其适用于高压、高效的电源转换。它能在高频率开关操作中提供稳定的性能,降低能量损失。

2. **电动工具**:在电动工具中,该MOSFET可以用作电机驱动的开关器件。其Trench技术和低导通电阻帮助提高电机控制的效率和响应速度,从而增强工具的性能和续航能力。

3. **LED驱动器**:FIR10N20G-VB 可以应用于LED驱动器模块,用于高功率LED的开关控制。其高耐压和高效率特性确保了LED驱动器在不同工作条件下的稳定性和长寿命。

4. **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,该MOSFET 用于电池保护和开关控制。它能够有效地处理电池充放电过程中产生的高压,提供安全的电池管理解决方案。

综上所述,FIR10N20G-VB MOSFET 适用于多种高电压、高效能的应用场景,其优异的性能使其成为电源管理、电动工具和其他电子设备中关键的功率开关元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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