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FI520N-VB TO220 产品详细

产品简介:

FI520N-VB MOSFET 产品简介

FI520N-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220封装。该MOSFET能够承受最大漏源电压(VDS)100V,栅源电压(VGS)±20V。其阈值电压(Vth)为1.8V,提供高效的开关特性,适用于广泛的应用场景。MOSFET的通态电阻(RDS(ON))在栅源电压为10V时为127mΩ,能够处理高达18A的电流。FI520N-VB 采用先进的Trench技术,确保低功率损耗,使其成为高效电源系统的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FI520N-VB 详细参数说明

1. **封装类型:** TO220
- **配置:** 单N沟道
- **技术:** Trench

2. **电气特性:**
- **漏源电压(VDS):** 100V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.8V(开始导电所需的最小栅电压)
- **通态电阻(RDS(ON)):** 127mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 18A(最大持续电流)

3. **性能特性:**
- **开关速度:** 优化设计以适应快速开关应用
- **热阻:** 设计以有效应对高功率条件下的操作

领域和模块应用:

FI520N-VB MOSFET 的应用示例

由于其强大的电气特性和高效性,FI520N-VB MOSFET 适用于多种应用场景。以下是该MOSFET在一些领域和模块中的应用示例:

1. **电源供应单元(PSU):** FI520N-VB 可用于开关电源(SMPS),在这种应用中,高效率和快速开关是关键。其低RDS(ON)有助于减少导通损耗,提高电源的整体效率。

2. **DC-DC 转换器:** 该MOSFET 适用于DC-DC 转换器,尤其是在降压(buck)转换器中,能够有效处理高电流和电压要求。其低通态电阻和快速开关能力有助于减少能量损失。

3. **电机控制电路:** 在电机控制应用中,如无刷直流电机或伺服电机中,FI520N-VB 可用于切换电机绕组,提供精确控制并减少热量产生,因其低通态电阻特性。

4. **电池管理系统(BMS):** 该MOSFET 可用于电池保护和管理电路,特别是在处理大容量电池组的充放电高电流时。其能够处理高电流且损耗低,使其适用于确保电池系统的长期稳定性和效率。

5. **汽车电子:** 由于其强大的设计和处理显著功率负荷的能力,FI520N-VB 可集成于各种汽车应用中,如电动助力转向、电动燃油泵及其他需要可靠电源开关的汽车控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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