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FH8325-VB 产品详细

产品简介:

FH8325-VB MOSFET 产品简介

FH8325-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,专为高电流和低导通电阻应用设计。其漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)为±20V,栅极阈值电压(Vth)为1.7V。该器件在VGS为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))仅为5mΩ,在VGS为10V时更低至3mΩ。FH8325-VB 具有高达120A的漏极电流(ID)能力,采用Trench技术,实现了极低的导通电阻与高电流处理能力,适用于要求苛刻的功率管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

- **封装**: DFN8(5x6) 封装,适用于高密度电路设计。
- **配置**: 单N沟道MOSFET,适用于单路开关控制和电源管理。
- **VDS(漏源电压)**: 30V,最大漏源间电压承受能力。
- **VGS(栅源电压)**: ±20V,栅源间的最大电压范围。
- **Vth(栅极阈值电压)**: 1.7V,MOSFET开始导通所需的最低栅极电压。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流)**: 120A,最大持续漏极电流能力,适合高电流应用。
- **技术**: Trench技术,提供低导通电阻与卓越的开关性能。

领域和模块应用:

应用领域示例

FH8325-VB的高电流处理能力和极低的导通电阻,使其在多个领域和模块中具有广泛的应用:

1. **高性能电源管理系统**: 由于其30V的漏源电压和120A的高电流处理能力,FH8325-VB非常适用于高性能的电源管理系统,如电源转换器和高效电源模块。这些系统需要极低的导通电阻和高电流能力,以最大限度地提高效率并减少热损耗。

2. **电动工具**: FH8325-VB能够处理高达120A的电流,使其适合用于电动工具中的电机驱动电路。其低导通电阻减少了功耗,从而延长了电池寿命并提高了工具的整体性能。

3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,如电动转向系统、制动系统和电源控制模块,FH8325-VB提供了高效能的功率开关解决方案。其高电流能力和低RDS(ON)确保了这些系统在高应力条件下的可靠运行。

4. **通信设备**: 在需要高功率传输和高效率的通信设备中,FH8325-VB可以用作功率放大器和电源控制开关。这些设备通常要求极低的导通电阻,以减少功率损耗并提高信号传输效率。

5. **服务器和数据中心**: 由于数据中心和服务器需要高效能的电源管理,FH8325-VB可以用于电源分配单元(PDU)和不间断电源(UPS)系统中。其高电流能力和低RDS(ON)提供了高效能的电流处理,并减少了热损耗,从而提高了系统的可靠性和效率。

通过这些应用领域,FH8325-VB展示了其在高效能电源管理和高电流应用中的重要性,能够为各种高要求的系统提供卓越的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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