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FDS9926A-VB 产品详细

产品简介:

FDS9926A-VB MOSFET 产品简介

FDS9926A-VB 是一款双N沟道MOSFET,采用SOP8封装,利用Trench技术设计。该器件具有20V的漏源电压能力和7.1A的漏极电流,专为高效的开关和电源管理应用而设计。其低导通电阻和宽阈值电压范围使其在多种应用中表现出色,是高功率和高效能应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **封装形式**: SOP8
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 7.1A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

FDS9926A-VB MOSFET 的高性能特性使其适用于多个领域和模块,以下是一些具体应用示例:

1. **电源管理系统**: 在电源管理系统中,FDS9926A-VB 可以用作开关元件,例如在DC-DC转换器、稳压器和电源分配模块中。其低导通电阻和高电流能力确保了在高负载条件下的高效能,适用于计算机电源、通信设备电源和其他高功率电源应用。

2. **负载开关**: 在负载开关应用中,FDS9926A-VB 作为高效的开关元件可用于LED驱动电路和其他需要开关功能的模块。其宽阈值电压范围和低导通电阻有助于提高系统效率,减少功耗,广泛应用于家电和消费电子产品中。

3. **电机驱动**: 该MOSFET 适用于电机驱动电路,例如在步进电机和直流电机控制系统中。其双N沟道配置和高电流能力使其能够在电机控制应用中提供稳定的电流和高效的开关性能,广泛应用于工业自动化、电动工具和家电中。

4. **功率转换器**: 在功率转换器应用中,FDS9926A-VB 可以用于逆变器和充电器等高功率模块。其20V的高耐压和Trench技术优化了功率转换效率,使其成为高效能电源系统中的重要组件。

通过这些应用示例,FDS9926A-VB MOSFET 展现了其在高电流、高功率和高效能开关应用中的广泛适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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