产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
|
8mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Single-N |
|
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详细参数说明
- **封装**: SOP8，紧凑型封装，具有良好的散热性能。
- **配置**: 单N沟道MOSFET，适用于单通道开关操作。
- **VDS（漏源电压）**: 30V，漏极与源极之间的最大电压。
- **VGS（栅源电压）**: ±20V，栅极与源极之间的最大电压差。
- **Vth（栅极阈值电压）**: 1.7V，MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。
- **RDS(ON)（导通电阻）**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID（漏极电流）**: 最大13A，能够处理中等电流负载。
- **技术**: 沟槽（Trench）技术，提供更低的导通电阻和更高的开关效率。
领域和模块应用：
应用领域示例
FDS7764S-NL-VB MOSFET 由于其优异的导通特性和可靠的电流处理能力，广泛适用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高效的开关特性，FDS7764S-NL-VB 适合用于各种电源管理应用中，如DC-DC转换器和线性稳压器。它能够显著提高功率转换效率，减少能量损耗，并确保稳定的电压输出。
2. **消费电子产品**: FDS7764S-NL-VB 的紧凑封装和高性能特性，使其成为智能手机、平板电脑等便携式设备的理想选择。这些设备要求高效的电源管理，同时需要尽可能减小占用空间，保证长时间的电池续航。
3. **电机控制系统**: 在电机驱动和控制应用中，FDS7764S-NL-VB 可以作为开关元件，可靠地控制电机的启动、停止和速度调节。其低RDS(ON) 确保了较低的功耗和热量产生，适合中小型电机的应用场景。
4. **开关电源**: 由于其出色的开关性能和低损耗，FDS7764S-NL-VB 适用于开关电源中，特别是在需要高频开关操作的应用中。它能够提高整体电源效率，并减少散热需求，使得系统更加可靠和高效。
5. **汽车电子**: 在汽车电子领域，如车载电源管理和控制系统中，FDS7764S-NL-VB 能够在严苛的环境下提供稳定的性能。其高耐压和低损耗特性，确保了长时间稳定运行，适合应用于车载DC-DC转换器和其他功率调节模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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