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FDS7064N7-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FDS7064N7-VB** 是一款高性能单 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封装。该器件设计用于处理高电流应用,能够承受高达 30V 的漏源电压,并支持 ±20V 的门源电压。FDS7064N7-VB 使用先进的 Trench 技术,提供了非常低的开态电阻,分别为 4mΩ(VGS = 10V)和 5mΩ(VGS = 4.5V),从而有效降低了功耗并提高了电流传输效率。其最大连续漏极电流为 18A,使其在需要高电流的应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单 N 型 MOSFET
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **门阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **开态电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ(VGS = 4.5V)
- 4mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电源管理**:FDS7064N7-VB 的低 RDS(ON) 和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理应用。例如,在 DC-DC 转换器和开关电源中,该 MOSFET 可以作为高效的开关元件,优化能效并降低功耗。

2. **电机驱动**:该 MOSFET 适用于电机驱动应用,如 H 桥电路。由于其高电流处理能力和低开态电阻,它能够有效驱动电机,提供稳定的电流和高效的功率转换,适用于直流电机或步进电机驱动。

3. **负载开关**:FDS7064N7-VB 的高电流能力和低 RDS(ON) 使其成为负载开关的理想选择。它能够在各种电池供电设备和消费电子产品中提供高效的负载控制,提升系统的整体性能。

4. **LED 驱动**:在 LED 驱动电路中,FDS7064N7-VB 可以用作开关元件。其低开态电阻有助于高效驱动高功率 LED,提供更高的亮度和稳定性。

5. **功率放大器**:在功率放大器设计中,FDS7064N7-VB 能够处理较高电流负载,适用于音频放大器和其他功率放大器应用。其低功耗特性有助于提高系统的效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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