FDS6688S-NL-VB - VBsemi MOS管制造商

FDS6688S-NL-VB 产品详细

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FDS6688S-NL-VB MOSFET 产品简介

FDS6688S-NL-VB 是一款采用 SOP8 封装的单一 N 通道 MOSFET，适用于低电压、高电流的开关应用。该 MOSFET 具有 30V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅极电压（VGS），可以在多种电源环境下稳定工作。其栅极阈值电压（Vth）为 1.7V，使得它能够在较低的栅极驱动电压下快速启动。凭借先进的沟槽（Trench）技术，FDS6688S-NL-VB 在栅极驱动电压为 4.5V 和 10V 时，分别实现了 5mΩ 和 4mΩ 的超低导通电阻（RDS(ON)），最大连续漏极电流（ID）达到 18A，适合需要高功率处理能力的应用场景。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	18A			4mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	18A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	18A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-N

FDS6688S-NL-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单一 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术类型**: 沟槽（Trench）

领域和模块应用：

应用领域和模块举例

FDS6688S-NL-VB MOSFET 的低导通电阻和高电流处理能力使其在多个领域中得到广泛应用，包括：

1. **高效能 DC-DC 转换器**: 在计算机和电池供电设备中，FDS6688S-NL-VB 可作为高效能 DC-DC 转换器的开关元件，提高电源转换效率并减少功耗。

2. **电机驱动系统**: 其高电流承载能力和低 RDS(ON) 特性使其非常适合用于电机驱动电路，包括家电和电动工具中的直流电机控制，提供平稳的电流供给和控制。

3. **负载开关**: 由于其极低的导通电阻，FDS6688S-NL-VB 可用于负载开关应用，例如在消费电子设备和自动化设备中，确保可靠的电源切换和节能。

4. **电源管理系统**: 在电源管理系统中，如电池管理系统（BMS）和高功率电源模块中，这款 MOSFET 可以有效地处理大电流，提供稳定的电力传输和保护功能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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