FDS6678-NL-VB - VBsemi MOS管制造商

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FDS6679AZ-VB MOSFET 产品简介

FDS6679AZ-VB 是一款采用 SOP8 封装的单一 P 通道 MOSFET，设计用于低压开关应用。它具有 -30V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅极电压（VGS），确保了在各种应用环境下的高效稳定运行。其栅极阈值电压（Vth）为 -2.5V，使其在低压操作中启动迅速。利用先进的沟槽（Trench）技术，FDS6679AZ-VB 在栅极驱动电压为 4.5V 和 10V 时，分别实现了 15mΩ 和 11mΩ 的低导通电阻（RDS(ON)），可承载的最大连续漏极电流（ID）为 -13.5A，适合需要高效能量管理的应用场景。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A			8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-N

FDS6679AZ-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单一 P 通道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -13.5A
- **技术类型**: 沟槽（Trench）

领域和模块应用：

应用领域和模块举例

FDS6679AZ-VB MOSFET 凭借其低导通电阻和高电流处理能力，广泛应用于需要高效率开关和低功耗的领域。例如：

1. **DC-DC 转换器**: 在移动设备和电池供电设备中，FDS6679AZ-VB 可用于高效的 DC-DC 转换器，确保稳定的电压输出并延长电池寿命。

2. **电机驱动**: 其高电流承载能力使其适合用于电机驱动电路，尤其是在电动工具和家用电器中的小型电机控制应用。

3. **负载开关**: FDS6679AZ-VB 可在低电压电路中充当负载开关，应用于笔记本电脑、智能手机等便携设备，提供可靠的开关控制。

4. **电池管理系统 (BMS)**: 由于其低 RDS(ON) 和高可靠性，该器件在电动汽车和能源存储系统的电池管理中也有广泛应用。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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