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FDS6676-NL-VB 产品详细

产品简介:

FDS6676-NL-VB MOSFET 产品简介

FDS6676-NL-VB是一款低电压单通道N沟道MOSFET,采用SOP8封装。该器件的主要特性包括30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和1.7V的门槛电压(Vth)。它具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS为4.5V时为5mΩ,在VGS为10V时仅为4mΩ,能够支持高达18A的连续漏极电流(ID)。该器件采用Trench技术,提供了优异的开关性能和低损耗,是高效能应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **极性配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:18A
- **技术类型**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **功耗 (PD)**:2.5W

领域和模块应用:

适用领域和模块的应用实例

FDS6676-NL-VB MOSFET因其低导通电阻、高电流处理能力以及快速开关特性,适用于多个领域和模块:

1. **电源管理模块**:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源管理模块中,在这些应用中,MOSFET的高效开关和低损耗性能至关重要,有助于提高整个电源系统的效率。

2. **汽车电子**:在汽车控制单元和负载开关中,FDS6676-NL-VB能够提供可靠的电流控制和电源分配,确保在恶劣的环境条件下仍能稳定运行。

3. **消费电子**:例如智能手机、笔记本电脑等消费类电子设备中的充电电路和电源管理芯片中,FDS6676-NL-VB因其小封装和高效能特点,能够帮助设备实现更长的电池续航和更小的体积设计。

4. **工业控制**:在PLC(可编程逻辑控制器)和工厂自动化系统中,FDS6676-NL-VB可用作开关元件,以其出色的性能确保精确的控制和低功耗操作。

通过在这些领域的应用,FDS6676-NL-VB MOSFET展示了其在低电压、高电流应用中的优势,提供了卓越的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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