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FDS4936-VB 产品详细

产品简介:

FDS4936-VB MOSFET 产品简介

FDS4936-VB 是一款双 N-Channel MOSFET,封装为 SOP8。它采用先进的 Trench 技术,具备低导通电阻和高电流承载能力。该 MOSFET 的设计旨在提高电路的开关效率和整体性能,适用于需要紧凑封装和高性能的应用场合。FDS4936-VB 的双 N-Channel 结构使其在多种应用中具有更大的灵活性和功能性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **型号**:FDS4936-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:双 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**:30V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**:1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 26mΩ @ V_GS = 4.5V
- 22mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:
- 6.8A(每个 N-Channel)
- 6.0A(每个 N-Channel)
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

FDS4936-VB 的双 N-Channel 设计以及其低导通电阻和高电流承载能力,使其适用于多个领域和模块,具体包括:

1. **电源管理**:在电源管理系统中,FDS4936-VB 的双 N-Channel 配置允许在同一封装内实现多路开关控制,适用于各种开关电源和电池管理应用。这种设计可以有效地降低电源转换中的功率损耗,并提升系统整体效率。

2. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器中,FDS4936-VB 提供了高开关速度和低导通电阻,有助于提高转换效率和降低热量产生,增强了转换器的稳定性和性能。

3. **电机驱动**:在电机驱动应用中,FDS4936-VB 能够处理较高的电流,并且其双 MOSFET 设计使得在驱动电机的高电流路径中提供了更好的控制能力和灵活性,适用于电机的启动和调节。

4. **开关电源**:FDS4936-VB 的双 N-Channel 配置允许在开关电源中实现更紧凑的设计,适合于高效的开关控制和功率调节。其低 R_DS(on) 使得在高频率应用中更具优势。

5. **汽车电子**:在汽车电子应用中,如电动窗户、电动座椅和灯光控制系统,FDS4936-VB 提供了高效的开关功能和耐用性,确保系统在恶劣环境下的稳定运行。

这些应用场景突显了 FDS4936-VB 的多功能性和优越的电气性能,使其在多种现代电子设计中成为重要的组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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