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FDS4897A-VB 产品详细

产品简介:

FDS4897A-VB 产品简介

FDS4897A-VB 是一款双极性 MOSFET,封装形式为 SOP8,集成了 N 型和 P 型 MOSFET。这款 MOSFET 采用 Trench 技术,具有低导通电阻,适用于需要正负电压控制的高效电源管理和开关应用。其双极性设计简化了电路布局,提高了系统的集成度和性能,使其成为多种电子应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±60V 1.8/-1.7V 5.3/-4.9A 26/55mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±60V 1.8/-1.7V 5.3/-4.9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±60V 1.8/-1.7V 5.3/-4.9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
FDS4897A-VB 详细参数说明

- **封装**:SOP8
- **配置**:双极性 MOSFET(N 型和 P 型)
- **漏源电压 (VDS)**:±60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N 型:1.8V
- P 型:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 型:
- 29mΩ @ VGS = 4.5V
- 26mΩ @ VGS = 10V
- P 型:
- 60mΩ @ VGS = 4.5V
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:
- N 型:5.3A
- P 型:-4.9A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理**:FDS4897A-VB 的双极性设计使其在电源管理系统中非常有用。它可以用于高效的开关电源设计中,通过控制正负电压,优化电源转换过程。例如,在开关电源模块中,N 型 MOSFET 可用于正电压开关,而 P 型 MOSFET 可用于负电压开关,从而提高整体转换效率。

2. **H 桥驱动**:在 H 桥驱动电路中,FDS4897A-VB 可以用来驱动电机或其他负载。其 N 型和 P 型 MOSFET 配置使其能够灵活地进行电流方向控制,提高电机驱动的精度和效率。这在电动汽车、电动工具和自动化设备中非常常见。

3. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器应用中,FDS4897A-VB 的低导通电阻帮助减少功率损耗,提升转换效率。其双极性 MOSFET 设计允许在多个电压轨道中高效工作,使其适合于各种电源转换需求。

4. **过流保护**:FDS4897A-VB 的双极性特性使其适用于过流保护电路。N 型和 P 型 MOSFET 可以用于设计保护电路,确保在发生过流情况时,电路能够快速响应并保护其他电子组件。

5. **电流开关和信号处理**:在需要精确控制电流或信号的应用中,FDS4897A-VB 的高电流处理能力和低导通电阻可以用于各种开关和信号处理任务。例如,它可以用于高频开关应用,如开关调节电路和信号放大器中,提供可靠的性能。

这些应用示例展示了 FDS4897A-VB 在需要正负电压控制和高效电流管理的领域中的广泛适用性。其高效的 Trench 技术和双极性设计使其成为各种电源和开关应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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