产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
|
26/55mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P |
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FDS4897A-VB 详细参数说明
- **封装**:SOP8
- **配置**:双极性 MOSFET(N 型和 P 型)
- **漏源电压 (VDS)**:±60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N 型:1.8V
- P 型:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 型:
- 29mΩ @ VGS = 4.5V
- 26mΩ @ VGS = 10V
- P 型:
- 60mΩ @ VGS = 4.5V
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:
- N 型:5.3A
- P 型:-4.9A
- **技术**:Trench
领域和模块应用:
应用领域和模块示例
1. **电源管理**:FDS4897A-VB 的双极性设计使其在电源管理系统中非常有用。它可以用于高效的开关电源设计中,通过控制正负电压,优化电源转换过程。例如,在开关电源模块中,N 型 MOSFET 可用于正电压开关,而 P 型 MOSFET 可用于负电压开关,从而提高整体转换效率。
2. **H 桥驱动**:在 H 桥驱动电路中,FDS4897A-VB 可以用来驱动电机或其他负载。其 N 型和 P 型 MOSFET 配置使其能够灵活地进行电流方向控制,提高电机驱动的精度和效率。这在电动汽车、电动工具和自动化设备中非常常见。
3. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器应用中,FDS4897A-VB 的低导通电阻帮助减少功率损耗,提升转换效率。其双极性 MOSFET 设计允许在多个电压轨道中高效工作,使其适合于各种电源转换需求。
4. **过流保护**:FDS4897A-VB 的双极性特性使其适用于过流保护电路。N 型和 P 型 MOSFET 可以用于设计保护电路,确保在发生过流情况时,电路能够快速响应并保护其他电子组件。
5. **电流开关和信号处理**:在需要精确控制电流或信号的应用中,FDS4897A-VB 的高电流处理能力和低导通电阻可以用于各种开关和信号处理任务。例如,它可以用于高频开关应用,如开关调节电路和信号放大器中,提供可靠的性能。
这些应用示例展示了 FDS4897A-VB 在需要正负电压控制和高效电流管理的领域中的广泛适用性。其高效的 Trench 技术和双极性设计使其成为各种电源和开关应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性