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FDS4435BZ-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:FDS4435A-VB

FDS4435A-VB 是一款单P沟道MOSFET,封装为SOP8,采用Trench技术。这款MOSFET具有-30V的最大漏源电压(VDS),-9A的最大漏极电流(ID),以及较低的导通电阻24mΩ(VGS=4.5V)和18mΩ(VGS=10V)。其负阈值电压(Vth=-1.7V)使其在低电压下也能有效工作,适合用于各种需要高效开关控制的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单P沟道(Single-P-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**:-30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-9A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块

1. **负载开关**:
在负载开关应用中,FDS4435A-VB 可以用作高效的负载开关元件。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够在各种负载条件下提供稳定的开关性能,适用于电池保护电路、功率管理系统等场景。

2. **电源管理**:
在电源管理模块中,如DC-DC转换器和电源分配系统,FDS4435A-VB 能够有效控制电流流向,提高系统的效率和稳定性。其低导通电阻有助于减少功率损耗,确保电源系统的高效运行。

3. **反向电流保护**:
该MOSFET 适用于反向电流保护应用,例如在电池保护电路中防止反向电流流动。FDS4435A-VB 的负漏源电压和高电流能力使其在处理反向电流时能保持稳定,保护电路免受潜在损害。

4. **功率转换器**:
在功率转换器应用中,如升压和降压转换器,FDS4435A-VB 可以用作开关元件。其快速开关特性和低导通电阻使其适合高频开关操作,提高转换效率并减少功率损耗。

5. **电池管理系统**:
在电池管理系统中,FDS4435A-VB 用于开关电池组的电流流向,确保电池的安全和有效使用。其高电流处理能力和低导通电阻使其在电池管理和保护应用中表现出色,提升系统整体性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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