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FDS3601-NL-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FDS3601-NL-VB** 是一款双N沟道MOSFET,封装为SOP8,专为中等电压和电流应用设计。该MOSFET采用Trench技术,具有100V的漏源电压,适合用于中等电压和电流的开关应用。其设计包括两个独立的N沟道MOSFET,能够在一个封装中提供更高的灵活性和紧凑的解决方案,非常适用于需要双MOSFET配置的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 100V 1.5V 3A 200mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 100V 1.5V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 100V 1.5V 3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **封装**: SOP8
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 100V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.5V
- **导通阻抗 (R_DS(on))**:
- 200mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏极电流 (I_D)**: 3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **电源管理**:
在电源管理系统中,FDS3601-NL-VB 的双N沟道MOSFET配置可以用于高效的电源开关和控制。其100V的漏源电压和200mΩ的导通阻抗适合用于电源转换器中的开关电路,能够实现可靠的功率管理和电流调节。

2. **DC-DC转换器**:
在DC-DC转换器中,该MOSFET 可以用作开关元件进行电压转换和功率调节。其双MOSFET设计有助于减少电路板空间并简化布局,适合用于紧凑型DC-DC转换器模块中。

3. **电池供电系统**:
在电池供电系统中,FDS3601-NL-VB 可以用于电池保护和开关控制。其高达100V的漏源电压使其适合处理较高电压的电池系统,同时双MOSFET的设计可以实现对电池状态的有效监控和控制。

4. **LED驱动器**:
在LED驱动电路中,FDS3601-NL-VB 可以用于控制LED的开关和调光功能。双N沟道MOSFET的配置使其能够在一个封装中提供多重开关功能,适合用于各种LED驱动应用,包括照明系统和显示面板。

5. **通信设备**:
在通信设备中,该MOSFET 能够用于高电压信号的开关和控制。其高漏源电压和适中的导通阻抗使其在需要双MOSFET配置的应用中表现良好,如信号放大器和切换电路。

FDS3601-NL-VB 的双N沟道设计、100V漏源电压和200mΩ导通阻抗使其在多种应用场景中都能提供稳定的性能,尤其是在需要空间优化和高效电流控制的设计中表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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