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FDS2170N3-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

FDS2170N3-VB 是一款高效能的单N沟道功率MOSFET,采用紧凑的SOP8封装,设计用于需要高电压处理的应用。该MOSFET 的漏源电压(VDS)为200V,能够处理高达3A的连续漏极电流(ID)。导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为260mΩ,采用Trench技术,提供了较低的导通损耗和较高的开关效率。FDS2170N3-VB 非常适合用于空间受限但要求高可靠性的电力电子系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 200V 3V 3A 260mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 200V 3V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 200V 3V 3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
二、详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 260mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 3A
- **技术**: Trench
- **封装特点**: SOP8封装紧凑、适合小型电路板设计

领域和模块应用:

三、应用领域和模块

FDS2170N3-VB MOSFET 由于其高电压处理能力、较低的导通电阻和紧凑的封装设计,适用于以下领域和模块:

1. **消费电子产品**: 在消费电子产品如LED驱动器、电池管理系统中,FDS2170N3-VB 可用于高压转换和控制电路,提供可靠的电流管理,同时节省空间。

2. **电源管理模块**: 在电源管理模块中,该MOSFET 能够用于开关电源和DC-DC转换器中,有效处理200V的电压,同时减少导通损耗,提高系统效率。

3. **工业自动化**: 在工业自动化应用中,FDS2170N3-VB 可用于小型化控制电路中,处理各种工业传感器和执行器的高压驱动需求,确保可靠的控制和响应速度。

4. **照明系统**: 在智能照明系统中,尤其是需要高电压驱动的LED照明模块,FDS2170N3-VB 能够提供高效的电流控制,确保LED灯具的长寿命和高效能。

5. **电动工具**: 在手持电动工具和小型电机驱动模块中,该MOSFET 可用于控制电源和负载的高效转换,保证工具的动力和控制精度。

FDS2170N3-VB 的紧凑设计与高性能参数使其在多种高压应用中表现出色,是小型化电路板设计中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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