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FDP8896_F085-VB 产品详细

产品简介:

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FDP8896_F085-VB是一款采用TO220封装的单N沟道MOSFET,设计用于高效电源管理和开关应用。该器件基于Trench技术,具有极低的导通电阻和高电流处理能力,适合在较低电压条件下运行,同时确保系统的高效和可靠性。这款MOSFET在要求高电流和低损耗的应用中表现优异,特别适合于汽车、工业和消费电子领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **封装类型**:TO220
- **极性**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. **汽车电子**:FDP8896_F085-VB在汽车电子中的应用包括电池管理系统和电源分配模块。其高电流能力和低导通电阻使其在高效能源转换和储存系统中非常适用,例如在电动车辆的电池组管理和电力辅助系统中。

2. **工业电源管理**:该MOSFET可用于工业级电源供应器和逆变器中,其高效能和低导通损耗帮助降低能源消耗并提高系统的稳定性,适合在大功率工业设备和智能电网设备中应用。

3. **消费电子**:FDP8896_F085-VB在消费电子产品中,如笔记本电脑电源管理、智能手机充电模块中,能够实现更高的功率转换效率,从而延长电池寿命并降低设备温度。

4. **计算机硬件**:在高性能计算设备中,如服务器和高端图形处理单元(GPU),该MOSFET能够提供稳定的电源管理,确保在高负载运行下维持系统的高效能和稳定性。

这些领域的应用展示了FDP8896_F085-VB MOSFET在低压、高电流应用中的优越性能,特别适用于需要低损耗和高效能的电源管理和负载控制模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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