推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

FDP5N50-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

FDP5N50-VB 是一款高电压单N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,设计用于高电压应用。该MOSFET 的漏源电压(VDS)为600V,能够处理较高的电压,最大连续漏极电流(ID)为8A。其导通电阻(RDS(ON))为780mΩ(在VGS=10V时),采用Plannar技术,提供了稳定的开关性能和适中的热管理能力。FDP5N50-VB 适用于需要高电压和适中电流的应用场景,能够在高电压环境下实现可靠的电力转换。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

- **封装类型**: TO-220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 600V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Plannar
- **热性能**: 适中的散热能力,适合高电压应用

领域和模块应用:

三、应用领域和模块

FDP5N50-VB MOSFET 由于其高电压承载能力和适中的电流处理能力,广泛应用于以下领域和模块:

1. **电源转换器**: 在高电压电源转换器中,FDP5N50-VB 可以用于高压开关电路,帮助实现高电压的电力转换和调节,确保稳定的电源输出。

2. **电机驱动**: 在需要处理高电压的电机驱动系统中,如高压电动机驱动模块,该MOSFET 能够提供可靠的开关控制,适用于高电压电动工具和设备。

3. **电池充电器**: 在高电压电池充电器中,FDP5N50-VB 可用于电源开关和保护电路,确保高电压电池的安全充电和管理。

4. **逆变器**: 在太阳能逆变器或其他高电压逆变器系统中,该MOSFET 能够处理高电压的开关控制,实现直流到交流的电力转换,提升系统效率和稳定性。

FDP5N50-VB 的高电压处理能力和适中导通电阻使其在高电压环境中的应用非常合适,能够为各种高电压电力电子系统提供稳定、可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询