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FDP39N20-VB 产品详细

产品简介:

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FDP39N20-VB 是一款高压 N 型 MOSFET,封装形式为 TO220,特别设计用于处理高电压和大电流应用。该 MOSFET 能够承受高达 200V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),并且具有 3V 的栅极阈值电压 (Vth)。其在 VGS=10V 时,导通电阻 (RDS(ON)) 为 46mΩ,支持最大漏极电流 (ID) 为 50A。FDP39N20-VB 采用 Trench 技术,这种技术提供了低导通电阻和优化的开关性能,使其在高电压和大电流环境中具有良好的稳定性和效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单通道 N 型
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **高压电源开关**: FDP39N20-VB 适用于高压电源开关应用,如高电压 DC-DC 转换器和电源管理模块。其高漏源电压能力和较低的导通电阻使其能够在高电压环境下有效地开关,确保电源系统的稳定性和转换效率。

2. **电机驱动**: 在电机驱动系统中,特别是需要处理中高电压的驱动应用,该 MOSFET 可以作为开关元件。其高电压和大电流能力支持电机的高效启动和运行,适用于高功率电机控制系统。

3. **电力转换器**: FDP39N20-VB 可用于电力转换器中的开关组件,如高电压电力转换和调节模块。其高漏源电压和适中的导通电阻有助于提高电力转换器的效率,尤其在需要高电压操作的电力转换应用中表现出色。

4. **逆变器**: 在逆变器设计中,该 MOSFET 适用于高电压开关任务,将直流电源转换为交流电。其高漏源电压和大电流能力使其适合用于高压逆变器系统,确保系统的可靠性和高效性能。

FDP39N20-VB 的高漏源电压、适中的导通电阻和强大的电流处理能力,使其在高压电源开关、电机驱动、电力转换器以及逆变器等领域中具有优越的表现,适合用于要求高电压和高电流处理的各种应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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