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FDP100N10-VB 产品详细

产品简介:

FDP100N10-VB MOSFET 产品简介

FDP100N10-VB 是一款高性能的单N通道 MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于处理高电压和大电流的应用。该 MOSFET 最大漏源电压 (VDS) 为 100V,栅源电压 (VGS) 的公差为 ±20V。其阈值电压 (Vth) 为 2.5V,确保了快速的开关响应。FDP100N10-VB 采用了先进的 Trench 技术,以降低导通电阻和提高电流承载能力。在 VGS=4.5V 时,RDS(ON) 为 20mΩ,而在 VGS=10V 时,RDS(ON) 降至 9mΩ,能够支持高达 100A 的连续电流。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型:** TO220
- **配置:** 单N通道
- **漏源电压 (VDS):** 100V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 2.5V
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V:** 20mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V:** 9mΩ
- **连续漏电流 (ID):** 100A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

FDP100N10-VB MOSFET 由于其优异的电气性能和高电流处理能力,适用于以下领域和模块:

1. **工业电源系统:** 在工业电源管理中,FDP100N10-VB 能够用于高功率电源模块和电机驱动器。其低 RDS(ON) 特性和高电流能力确保了电源系统的高效能和可靠性,在高负载条件下表现出色。

2. **电动汽车:** 该 MOSFET 适用于电动汽车的电池管理系统和电动驱动系统。其高电压耐受和高电流能力使其能够高效管理电池和驱动电机,提高整体车辆的性能和能源利用效率。

3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,FDP100N10-VB 可用于太阳能逆变器的电源转换。其低导通电阻有助于提高逆变器的整体效率,减少能量损失,从而提升系统的整体性能。

4. **数据中心电源:** 在数据中心和通信设备中,该 MOSFET 可以用于高功率电源模块,确保设备在高负载条件下的稳定性和高效运行。其优良的电气性能和高电流能力有助于降低电源系统的能耗,提高系统的可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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