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FDMS8674-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
FDMS8674-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用DFN8 (5x6 mm) 封装,专为高电流和低导通电阻应用设计。其设计基于先进的沟槽 (Trench) 技术,具有较高的电流处理能力和较低的功率损耗。此型号的漏源极电压为30V,栅源极电压为±20V,阈值电压为1.7V。低导通电阻使其在开关电路中具备极佳的效率,适用于需要高电流传输的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明
- **封装类型**:DFN8 (5x6 mm)
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:沟槽 (Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块
FDMS8674-VB 的高电流能力和低导通电阻使其在多个高要求领域和模块中表现出色:

1. **高效能电源管理**:该MOSFET的低RDS(ON) 使其非常适合用于高效能电源管理系统,例如DC-DC转换器中。其低功耗特性能够显著提高电源转换效率,减少能量损失。

2. **电动汽车 (EV) 系统**:在电动汽车的电池管理系统和功率逆变器中,FDMS8674-VB 能处理高电流而保持低发热量,为电动汽车的动力系统提供可靠支持。

3. **工业电机驱动**:在工业电机驱动应用中,该MOSFET能够稳定地控制高电流负载,适用于电机控制器和驱动模块,确保电机的平稳运行和高效能。

4. **计算机和数据中心**:在计算机和数据中心的电源分配系统中,FDMS8674-VB 的高电流承载能力和低导通电阻有助于提升电源模块的整体效率和性能,特别是在高密度的电子设备和服务器中。

FDMS8674-VB 的出色性能和高电流处理能力使其在要求严格的应用中表现卓越,为现代电子设备和高效能系统提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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