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FDMS8025S-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FDMS8025S-VB** 是一款高性能的 N 型 MOSFET,采用 DFN8 (5x6) 封装,专为高电流和低导通电阻应用设计。它具有最大漏源电压(VDS)为 30V,栅源电压(VGS)范围为 ±20V。该 MOSFET 的开启电压阈值(Vth)为 1.7V,确保在较低的栅极电压下也能实现稳定导通。其导通电阻极低,为 5mΩ @ VGS = 4.5V 和 3mΩ @ VGS = 10V,这使得它在高电流应用中具有出色的功率效率。FDMS8025S-VB 使用了先进的沟槽技术(Trench),确保了优异的电气性能和高功率密度。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

- **封装类型(Package):** DFN8 (5x6)
- **配置(Configuration):** 单 N 型 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS):** 30V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **开启电压阈值(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 5mΩ @ VGS = 4.5V;3mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID):** 120A
- **技术(Technology):** 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**FDMS8025S-VB** 的高电流处理能力和低导通电阻使其在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. **高效能开关电源(High-Efficiency Switching Power Supplies):** 这款 MOSFET 能够在开关电源中提供高效的能量转换,降低功耗,适用于需要高功率密度和低损耗的电源管理系统。

2. **DC-DC 转换器(DC-DC Converters):** 在 DC-DC 转换器中,FDMS8025S-VB 作为同步整流器,可以显著提高转换效率,适合用于电脑电源、服务器和工业电源等场合。

3. **电机驱动(Motor Drives):** 该 MOSFET 在电机驱动应用中表现出色,能够处理高电流负载,适用于电动汽车、电动工具和机器人等高性能电机驱动系统。

4. **负载开关(Load Switching):** FDMS8025S-VB 可以用作负载开关,在消费电子、家电以及工业设备中提供高效的电流切换,特别适用于需要高电流和低功率损耗的场景。

5. **功率放大器(Power Amplifiers):** 在无线通信和音频放大器中,FDMS8025S-VB 的低导通电阻和高电流能力有助于提高放大器的效率和稳定性,满足高功率放大的需求。

6. **汽车电子(Automotive Electronics):** 适用于汽车电子系统,如电动控制、LED 驱动和其他高效能开关应用,满足汽车系统对高可靠性和高性能的要求。

**FDMS8025S-VB** 的高电流能力和低导通电阻使其在这些应用中能提供高效能和可靠性,是高功率电子系统中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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