推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

FDMC86265P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FDMC86265P-VB** 是一款高性能 P 型 MOSFET,采用 DFN8 (3x3) 封装。该 MOSFET 具有 -200V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),特别适合需要高耐压和高稳定性的应用。它具有 -2V 的开启电压阈值(Vth),并利用先进的沟槽(Trench)技术提供了稳定的导通电阻。这使得 FDMC86265P-VB 在高压环境下依然能够保持优异的性能,是各种电源管理和高压开关应用的理想选择。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-P -200V -2V -3.6A 2000mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-P -200V -2V -3.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-P -200V -2V -3.6A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-P
详细参数说明

- **封装类型(Package):** DFN8 (3x3)
- **配置(Configuration):** 单通道 P 型 MOSFET
- **漏源电压(VDS):** -200V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **开启电压阈值(Vth):** -2V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 2400mΩ @ VGS = 4.5V
- 2000mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID):** -3.6A
- **技术(Technology):** 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**FDMC86265P-VB** 的高耐压和较高的导通电阻使其在以下领域和模块中表现优异:

1. **高压电源开关(High-Voltage Power Switches):** 该 MOSFET 能够处理高达 -200V 的电压,适用于高压电源开关应用,如高压电源管理和高压电源保护电路,确保在高压环境中稳定可靠的开关控制。

2. **电机驱动器(Motor Drivers):** 在需要高压控制的电机驱动器中,FDMC86265P-VB 能够有效地管理高电压负载,提供稳定的开关性能,以支持电机的平稳运行。

3. **电源保护电路(Power Protection Circuits):** 在电源保护电路中,该 MOSFET 可以用作保护元件,防止过压对电源系统造成损害,保证电路的安全运行。

4. **电动汽车充电系统(Electric Vehicle Charging Systems):** 在电动汽车的充电系统中,该 MOSFET 可以处理高压充电过程中的开关控制,确保充电过程的高效与安全。

5. **工业电源(Industrial Power Supplies):** FDMC86265P-VB 适用于各种工业电源应用,尤其是那些需要高耐压和高可靠性的环境中,确保电源系统的稳定性和长寿命。

**FDMC86265P-VB** 是一款设计精良的 P 型 MOSFET,凭借其高耐压、稳定的导通电阻和先进的沟槽技术,适用于各种高压和高稳定性要求的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询