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FDMA6023PZT-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
FDMA6023PZT-VB 是一款双通道 P 型 MOSFET,采用紧凑的 DFN6(2X2)-B 封装,专为需要高效开关的应用而设计。该器件具有-30V 的最大漏源电压 (VDS) 和 ±12V 的栅源电压 (VGS) 额定值,阈值电压 (Vth) 为-1.7V。它基于先进的沟槽 (Trench) 技术制造,能够提供极低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS 为 4.5V 时为 60mΩ,在 VGS 为 10V 时为 38mΩ,最大漏极电流 (ID) 为 -5.4A。FDMA6023PZT-VB 提供高效能和低功耗的解决方案,非常适合用于紧凑和便携的电子设备中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A 38mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN6(2X2)-B Dual-P+P
详细参数说明
- **封装类型**: DFN6(2X2)-B
- **通道配置**: 双 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 60mΩ @ VGS=4.5V
- 38mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -5.4A
- **技术**: 沟槽 (Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例
FDMA6023PZT-VB 在多种应用中表现出色,尤其是在需要紧凑尺寸、高效能和低导通电阻的领域:

1. **便携式电子设备**: 由于其紧凑的封装和低导通电阻,FDMA6023PZT-VB 适用于便携式电子设备的电源管理模块,如智能手机和平板电脑。它可以作为电源开关或负载开关,有助于延长电池寿命并提高设备效率。

2. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,FDMA6023PZT-VB 可以用于控制电池充电和放电过程。其高效的开关特性和低功耗设计使其能够提供稳定的电流管理,保护电池免受过充电或过放电的影响。

3. **电源转换器**: 在 DC-DC 转换器和其他电源模块中,这款 MOSFET 能够作为负载开关或整流器,提高电源的转换效率和稳定性,特别适合用于低电压电源轨。

4. **汽车电子设备**: 由于其高耐压和低导通电阻,FDMA6023PZT-VB 非常适用于汽车电子设备中的负载开关、电源管理和电池保护模块。这些应用要求高效且可靠的开关特性,以确保汽车电子系统的正常运行。

5. **工业控制系统**: 在工业控制应用中,这款 MOSFET 可用于驱动和控制低功率负载,如继电器、LED 和小型电机。其高效能和低热耗散特性帮助优化系统的性能和可靠性。

FDMA6023PZT-VB 以其-30V 的漏源电压、-5.4A 的漏极电流和 38mΩ 的低导通电阻,适用于多个需要高效开关和紧凑封装的领域,提供了高性能和可靠性的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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