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FDMA1024NZ-VB 产品详细

产品简介:

一、FDMA1024NZ-VB 产品简介

FDMA1024NZ-VB 是一款高性能双 N 沟道 MOSFET,封装为 DFN6 (2x2)-B。它具有 30V 的漏源电压 (VDS) 额定值,适用于中等电压的开关和驱动应用。这款 MOSFET 采用 Trench 技术,提供了低导通电阻,能够有效降低功率损耗。每个通道的最大漏极电流 (ID) 为 5.8A,使其能够处理中等电流负载。FDMA1024NZ-VB 的双 N 沟道配置使其特别适合用于需要多个开关控制的紧凑型电路,如功率开关和信号调节应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN6(2X2)-B Dual-N+N
二、FDMA1024NZ-VB 详细参数说明

- **封装类型**: DFN6 (2x2)-B
- **配置**: 双 N 沟道 (N+N)
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 22mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

三、FDMA1024NZ-VB 应用领域与模块

1. **功率开关**: FDMA1024NZ-VB 非常适合用于中等功率的开关电路,如 DC-DC 转换器和电源管理系统。其双 N 沟道配置使其能够在紧凑的设计中实现高效的功率开关,广泛应用于便携式设备和消费电子产品中,有助于提高系统的效率和性能。

2. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,FDMA1024NZ-VB 可以用作电池开关和保护电路。其低导通电阻和高电流能力能够有效控制电池的充放电过程,保证电池系统的安全性和高效性,应用于电动车辆和便携式电子设备的电池管理中。

3. **LED 驱动**: 该 MOSFET 适用于 LED 驱动电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够有效驱动高功率 LED,广泛应用于LED照明和背光源应用中,有助于提高LED系统的亮度和效率。

4. **电机控制**: FDMA1024NZ-VB 也适用于小型电机控制应用,如电动工具和家电中的电机驱动。其双 N 沟道设计使其能够在紧凑的空间内实现有效的电机控制,提供平稳的电机运行和高效的驱动能力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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